Mit der Hochvolt-Implantation können verschiedene Typen von Photodioden hergestellt werden. Sie können mit aktiven Schaltungen, wie Transimpedanzverstärkern, kombiniert werden, oder die hochauflösende Lithographie kann zur Produktion von passiven Photodioden-Arrays verwendet werden.
Eigenschaften:
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niedriger Dunkelstrom ermöglicht den Einsatz auch bei sehr hohen Temperaturen
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PN-Übergänge in unterschiedlichen Tiefen ermöglichen verschiedene spektrale Empfindlichkeiten
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Alle Typen von Photodioden sind innerhalb des bipolaren oder BiCMOS-Prozesses ohne zusätzliche Lithographie-Ebenen verfügbar
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Antireflexschicht als Prozessoption möglich
Opto-ASICs
DIFFERENZIELLER MITTENDETEKTOR
auch als Absolutencoder geeignet
QUADRANTEN-PHOTODETEKTOR
mit integrierten Differenz-Verstärkern
INKREMENTELLE ENCODER
für verschiedenste Anwendungen
Anwenderspezifische Opto-ICs können auf Anfrage entwickelt werden. Weitere Informationen erhalten Sie hier.