Die Ionenimplantation ist eine Standard-Methode in der Halbleiterindustrie zur oberflächennahen Dotierung von Wafern. Durch eine proprietäre Weiterentwicklung dieses Verfahrens ist PREMA in der Lage, Implantationen mit extrem hohen Energien bis in Tiefen von mehreren µm durchzuführen. Dadurch können aufwendige Verfahren (z.B. Epitaxie) eingespart werden.

PREMA bietet diesen Prozeß als Service an, bei dem

• Phosphor, Bor oder andere Elemente

• auf 4“, 5“, 6“ oder 8“ Wafern

• mit Energien von bis zu 6 MeV

• bis zu mehrere µm tief

• optional in Kombination mit unserem Lithographieprozeß strukturiert

implantiert werden können.

Da wir in unserer Halbleiterfertigung auch andere gängige Einzelprozesse verwenden, können diese bei Bedarf auch auf Ihre Wafer zusätzlich angewendet werden.